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बोली

1N6625US

उत्पाद का विवरण

भुगतान और शिपिंग की शर्तें

विवरण: डायोड जनरल पर्प 1.1केवी 1ए ए-एमईएलएफ

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प्रमुखता देना:
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:
1 μA @ 1100 V
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:
1.75 वी @ 1 ए
पैकेज:
थोक
श्रृंखला:
-
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:
10pF @ 10V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
ए-एमईएलएफ
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):
60 एनएस
एमएफआर:
माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी
प्रौद्योगिकी:
मानक
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:
-65 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस
पैकेज / मामला:
एसक्यू-एमईएलएफ, ए
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):
1100 वी
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):
1 क
गति:
तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:
1N6625
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:
1 μA @ 1100 V
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:
1.75 वी @ 1 ए
पैकेज:
थोक
श्रृंखला:
-
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:
10pF @ 10V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
ए-एमईएलएफ
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):
60 एनएस
एमएफआर:
माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी
प्रौद्योगिकी:
मानक
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:
-65 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस
पैकेज / मामला:
एसक्यू-एमईएलएफ, ए
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):
1100 वी
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):
1 क
गति:
तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:
1N6625
1N6625US
डायोड 1100 V 1A सतह माउंट A-MELF
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