श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड	उत्पाद की स्थिति:	नए डिजाइन के लिए नहीं
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	5 @A @ 3300 V	माउंटिंग प्रकार:	छेद से
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.7 वी @ 300 एमए	पैकेज:	ट्यूब
श्रृंखला:	SIC SCHOTTKY MPS ™	कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	42pf @ 1V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	TO-220FP	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	GeneSiC सेमीकंडक्टर	प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस	पैकेज / मामला:	指定目录不存在或不允许操
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	3300 वी	वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	300mA
गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)	मूल उत्पाद संख्या:	GAP3SLT33

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड
उत्पाद की स्थिति:	नए डिजाइन के लिए नहीं
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	5 @A @ 3300 V
माउंटिंग प्रकार:	छेद से
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.7 वी @ 300 एमए
पैकेज:	ट्यूब
श्रृंखला:	SIC SCHOTTKY MPS ™
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	42pf @ 1V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	TO-220FP
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	GeneSiC सेमीकंडक्टर
प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस
पैकेज / मामला:	指定目录不存在或不允许操
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	3300 वी
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	300mA
गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	GAP3SLT33