श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड	उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	200 μA @ 1200 वी	माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.8 वी @20 ए	पैकेज:	थोक
श्रृंखला:	-	कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	1130pF @ 1V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	D3PAK	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी	प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस	पैकेज / मामला:	TO-268-3, D³Pak (2 लीड्स + टैब), TO-268AA
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1200 वी	वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	49 ए
गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)	मूल उत्पाद संख्या:	एमएससी020

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	200 μA @ 1200 वी
माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.8 वी @20 ए
पैकेज:	थोक
श्रृंखला:	-
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	1130pF @ 1V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	D3PAK
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी
प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस
पैकेज / मामला:	TO-268-3, D³Pak (2 लीड्स + टैब), TO-268AA
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1200 वी
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	49 ए
गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	एमएससी020