श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड	उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	300 µA @ 650 V	माउंटिंग प्रकार:	छेद से
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.45 वी @20 ए	पैकेज:	ट्यूब
श्रृंखला:	इकोपैक®2	कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	1250pF @ 0V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	TO-220AC इन्स	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स	प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-40 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस	पैकेज / मामला:	TO-220-2 इंसुलेटेड, TO-220AC
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	650 वी	वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	20ए
गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)	मूल उत्पाद संख्या:	एसटीपीएससी20065

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	300 µA @ 650 V
माउंटिंग प्रकार:	छेद से
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.45 वी @20 ए
पैकेज:	ट्यूब
श्रृंखला:	इकोपैक®2
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	1250pF @ 0V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	TO-220AC इन्स
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-40 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस
पैकेज / मामला:	TO-220-2 इंसुलेटेड, TO-220AC
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	650 वी
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	20ए
गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	एसटीपीएससी20065