श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड	उत्पाद की स्थिति:	नए डिजाइन के लिए नहीं
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	5 μA @ 1000 V	माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.3 वी @ 500 एमए	पैकेज:	टेप और रील (TR)
श्रृंखला:	-	कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	4pF @ 4V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	उप एसएमए	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	500 एनएस
एमएफआर:	ताइवान सेमीकंडक्टर कॉर्पोरेशन	प्रौद्योगिकी:	मानक
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस	पैकेज / मामला:	डीओ-219एबी
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1000 वी	वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	500mA
गति:	तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)	मूल उत्पाद संख्या:	आरएसएफएमएल

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड
उत्पाद की स्थिति:	नए डिजाइन के लिए नहीं
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	5 μA @ 1000 V
माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.3 वी @ 500 एमए
पैकेज:	टेप और रील (TR)
श्रृंखला:	-
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	4pF @ 4V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	उप एसएमए
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	500 एनएस
एमएफआर:	ताइवान सेमीकंडक्टर कॉर्पोरेशन
प्रौद्योगिकी:	मानक
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस
पैकेज / मामला:	डीओ-219एबी
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1000 वी
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	500mA
गति:	तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	आरएसएफएमएल