श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड	उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	1 μA @ 200 V	माउंटिंग प्रकार:	छेद से
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1 वी @ 3 ए	पैकेज:	कट टेप (सीटी) टेप और बॉक्स (टीबी)
श्रृंखला:	-	कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	60pF @ 4V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	एसओडी-64	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	7.5 µs
एमएफआर:	विशाय जनरल सेमीकंडक्टर - डायोड डिवीजन	प्रौद्योगिकी:	हिमस्खलन
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस	पैकेज / मामला:	एसओडी-64, अक्षीय
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	800 वी	वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	3A
गति:	मानक पुनर्प्राप्ति > 500ns, > 200mA (Io)	मूल उत्पाद संख्या:	1N5627

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	1 μA @ 200 V
माउंटिंग प्रकार:	छेद से
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1 वी @ 3 ए
पैकेज:	कट टेप (सीटी) टेप और बॉक्स (टीबी)
श्रृंखला:	-
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	60pF @ 4V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	एसओडी-64
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	7.5 µs
एमएफआर:	विशाय जनरल सेमीकंडक्टर - डायोड डिवीजन
प्रौद्योगिकी:	हिमस्खलन
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस
पैकेज / मामला:	एसओडी-64, अक्षीय
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	800 वी
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	3A
गति:	मानक पुनर्प्राप्ति > 500ns, > 200mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	1N5627