श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़	उत्पाद की स्थिति:	अप्रचलित
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	100 ए (DC)	ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	3.6 वी @ 100 ए	पैकेज:	ट्रे
श्रृंखला:	हेक्स्फ्रेड®	डायोड विन्यास:	2 स्वतंत्र
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	एसओटी-227	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	150 एनएस
एमएफआर:	विशाय जनरल सेमीकंडक्टर - डायोड डिवीजन	प्रौद्योगिकी:	मानक
पैकेज / मामला:	SOT-227-4, मिनीब्लॉक	वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1200 वी
माउंटिंग प्रकार:	चेसिस माउंट	गति:	तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	HFA200	करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	75 @A @ 1200 V

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़
उत्पाद की स्थिति:	अप्रचलित
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	100 ए (DC)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	3.6 वी @ 100 ए
पैकेज:	ट्रे
श्रृंखला:	हेक्स्फ्रेड®
डायोड विन्यास:	2 स्वतंत्र
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	एसओटी-227
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	150 एनएस
एमएफआर:	विशाय जनरल सेमीकंडक्टर - डायोड डिवीजन
प्रौद्योगिकी:	मानक
पैकेज / मामला:	SOT-227-4, मिनीब्लॉक
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1200 वी
माउंटिंग प्रकार:	चेसिस माउंट
गति:	तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	HFA200
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	75 @A @ 1200 V