श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़	उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	80mA	ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.2 वी @ 100 एमए	पैकेज:	कट टेप (सीटी)
श्रृंखला:	-	डायोड विन्यास:	3 स्वतंत्र
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	US6	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	4 एनएस
एमएफआर:	तोशिबा सेमीकंडक्टर और स्टोरेज	प्रौद्योगिकी:	मानक
पैकेज / मामला:	6-टीएसओपी, एससी-88, एसओटी-363	वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	80 वी
माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट	गति:	छोटा सिग्नल = <200mA (Io), कोई भी गति
मूल उत्पाद संख्या:	HN2D01	करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	500 एनए @ 80 वी

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	80mA
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.2 वी @ 100 एमए
पैकेज:	कट टेप (सीटी)
श्रृंखला:	-
डायोड विन्यास:	3 स्वतंत्र
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	US6
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	4 एनएस
एमएफआर:	तोशिबा सेमीकंडक्टर और स्टोरेज
प्रौद्योगिकी:	मानक
पैकेज / मामला:	6-टीएसओपी, एससी-88, एसओटी-363
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	80 वी
माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
गति:	छोटा सिग्नल = <200mA (Io), कोई भी गति
मूल उत्पाद संख्या:	HN2D01
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	500 एनए @ 80 वी