श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़	उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	115 ए (डीसी)	ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.7 वी @ 40 ए	पैकेज:	कट टेप (सीटी) टेप और बॉक्स (टीबी)
श्रृंखला:	-	डायोड विन्यास:	1 जोड़ी आम एनोड
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	TO-247AC	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	ग्लोबल पावर टेक्नोलॉजी-जीपीटी	प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
पैकेज / मामला:	TO-247-2	वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1200 वी
माउंटिंग प्रकार:	छेद से	गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	100 µA @ 1200 वी

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	115 ए (डीसी)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.7 वी @ 40 ए
पैकेज:	कट टेप (सीटी) टेप और बॉक्स (टीबी)
श्रृंखला:	-
डायोड विन्यास:	1 जोड़ी आम एनोड
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	TO-247AC
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	ग्लोबल पावर टेक्नोलॉजी-जीपीटी
प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
पैकेज / मामला:	TO-247-2
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1200 वी
माउंटिंग प्रकार:	छेद से
गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	100 µA @ 1200 वी