श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड	उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	3 μA @ 600 V	माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	2.2 वी @ 8 ए	पैकेज:	टेप और रील (TR)
श्रृंखला:	हेक्स्फ्रेड®	कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	TO-263AB (D²PAK)	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	42 एनएस
एमएफआर:	विशाय जनरल सेमीकंडक्टर - डायोड डिवीजन	प्रौद्योगिकी:	मानक
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस	पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	600 वी	वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	4 ए
गति:	तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)	मूल उत्पाद संख्या:	Hfa04

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	3 μA @ 600 V
माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	2.2 वी @ 8 ए
पैकेज:	टेप और रील (TR)
श्रृंखला:	हेक्स्फ्रेड®
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	TO-263AB (D²PAK)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	42 एनएस
एमएफआर:	विशाय जनरल सेमीकंडक्टर - डायोड डिवीजन
प्रौद्योगिकी:	मानक
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस
पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	600 वी
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	4 ए
गति:	तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	Hfa04