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बोली

MURT40010R

उत्पाद का विवरण

भुगतान और शिपिंग की शर्तें

विवरण: डायोड मॉड्यूल 100V 200A 3Tower

सबसे अच्छी कीमत पाएं
प्रमुखता देना:
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):
200ए
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:
1.3 वी @ 200 ए
पैकेज:
थोक
श्रृंखला:
-
डायोड विन्यास:
1 जोड़ी आम एनोड
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
तीन टॉवर
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):
125 एनएस
एमएफआर:
GeneSiC सेमीकंडक्टर
प्रौद्योगिकी:
मानक
पैकेज / मामला:
तीन टॉवर
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):
100 वी
माउंटिंग प्रकार:
चेसिस माउंट
गति:
तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:
MURT40010
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:
25 μA @ 50 V
श्रेणी:
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):
200ए
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:
1.3 वी @ 200 ए
पैकेज:
थोक
श्रृंखला:
-
डायोड विन्यास:
1 जोड़ी आम एनोड
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
तीन टॉवर
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):
125 एनएस
एमएफआर:
GeneSiC सेमीकंडक्टर
प्रौद्योगिकी:
मानक
पैकेज / मामला:
तीन टॉवर
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):
100 वी
माउंटिंग प्रकार:
चेसिस माउंट
गति:
तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:
MURT40010
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:
25 μA @ 50 V
MURT40010R
डायोड सरणी 1 जोड़ी आम एनोड 100 वी 200 ए चेसिस माउंट थ्री टॉवर
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