श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़	उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	20ए	ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.8 वी @20 ए	पैकेज:	थोक
श्रृंखला:	-	डायोड विन्यास:	2 स्वतंत्र
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	एसओटी-227	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	माइक्रोसेमी निगम	प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
पैकेज / मामला:	आईएसओटॉप	वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	600 वी
माउंटिंग प्रकार:	चेसिस माउंट	गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	Apt2x21	करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	400 µA @ 600 V

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	20ए
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.8 वी @20 ए
पैकेज:	थोक
श्रृंखला:	-
डायोड विन्यास:	2 स्वतंत्र
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	एसओटी-227
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	माइक्रोसेमी निगम
प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
पैकेज / मामला:	आईएसओटॉप
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	600 वी
माउंटिंग प्रकार:	चेसिस माउंट
गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	Apt2x21
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	400 µA @ 600 V