उत्पाद का विवरण
भुगतान और शिपिंग की शर्तें
विवरण: डायोड मॉड्यूल 1KV 60A आइसोटॉप
श्रेणी: |
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़ |
उत्पाद की स्थिति: |
सक्रिय |
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड): |
60A |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: |
150°C (अधिकतम) |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: |
2 वी @ 60 ए |
पैकेज: |
ट्यूब |
श्रृंखला: |
- |
डायोड विन्यास: |
2 स्वतंत्र |
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: |
आईएसओटॉप® |
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर): |
115 एनएस |
एमएफआर: |
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स |
प्रौद्योगिकी: |
मानक |
पैकेज / मामला: |
आईएसओटॉप |
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): |
1000 वी |
माउंटिंग प्रकार: |
चेसिस माउंट |
गति: |
तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io) |
मूल उत्पाद संख्या: |
STTH12010 |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: |
20 µA @ 1000 V |
श्रेणी: |
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़ |
उत्पाद की स्थिति: |
सक्रिय |
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड): |
60A |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: |
150°C (अधिकतम) |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: |
2 वी @ 60 ए |
पैकेज: |
ट्यूब |
श्रृंखला: |
- |
डायोड विन्यास: |
2 स्वतंत्र |
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: |
आईएसओटॉप® |
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर): |
115 एनएस |
एमएफआर: |
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स |
प्रौद्योगिकी: |
मानक |
पैकेज / मामला: |
आईएसओटॉप |
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): |
1000 वी |
माउंटिंग प्रकार: |
चेसिस माउंट |
गति: |
तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io) |
मूल उत्पाद संख्या: |
STTH12010 |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: |
20 µA @ 1000 V |
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