श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़	उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	10:00 पूर्वाह्न	ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	150°C (अधिकतम)
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.75 वी @10 ए	पैकेज:	ट्यूब
श्रृंखला:	-	डायोड विन्यास:	1 जोड़ी श्रृंखला कनेक्शन
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	TO-220AB इंसुलेटेड	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स	प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
पैकेज / मामला:	TO-220-3	वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	650 वी
माउंटिंग प्रकार:	छेद से	गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	एसटीपीएससी10	करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	100 μA @ 650 वी

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	10:00 पूर्वाह्न
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	150°C (अधिकतम)
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.75 वी @10 ए
पैकेज:	ट्यूब
श्रृंखला:	-
डायोड विन्यास:	1 जोड़ी श्रृंखला कनेक्शन
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	TO-220AB इंसुलेटेड
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
पैकेज / मामला:	TO-220-3
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	650 वी
माउंटिंग प्रकार:	छेद से
गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	एसटीपीएससी10
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	100 μA @ 650 वी