उत्पाद का विवरण
भुगतान और शिपिंग की शर्तें
विवरण: डायोड मॉड्यूल 35V 120A 2Tower
श्रेणी: |
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़ |
उत्पाद की स्थिति: |
सक्रिय |
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड): |
120 ए (डीसी) |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: |
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: |
650 mV @ 120 ए |
पैकेज: |
थोक |
श्रृंखला: |
- |
डायोड विन्यास: |
1 जोड़ी आम एनोड |
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: |
ट्विन टॉवर |
एमएफआर: |
GeneSiC सेमीकंडक्टर |
प्रौद्योगिकी: |
schottky |
पैकेज / मामला: |
ट्विन टॉवर |
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): |
35 वी |
माउंटिंग प्रकार: |
चेसिस माउंट |
गति: |
तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io) |
मूल उत्पाद संख्या: |
MBR12035 |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: |
3 मा @ 20 वी |
श्रेणी: |
असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर डायोड एरेज़ |
उत्पाद की स्थिति: |
सक्रिय |
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड): |
120 ए (डीसी) |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: |
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: |
650 mV @ 120 ए |
पैकेज: |
थोक |
श्रृंखला: |
- |
डायोड विन्यास: |
1 जोड़ी आम एनोड |
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: |
ट्विन टॉवर |
एमएफआर: |
GeneSiC सेमीकंडक्टर |
प्रौद्योगिकी: |
schottky |
पैकेज / मामला: |
ट्विन टॉवर |
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम): |
35 वी |
माउंटिंग प्रकार: |
चेसिस माउंट |
गति: |
तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io) |
मूल उत्पाद संख्या: |
MBR12035 |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: |
3 मा @ 20 वी |
वीडियो
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