श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड	उत्पाद की स्थिति:	नए डिजाइन के लिए नहीं
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	200 µA @ 600 वी	माउंटिंग प्रकार:	छेद से
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.55 वी @ 10 ए	पैकेज:	ट्यूब
श्रृंखला:	-	कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	365pF @ 1V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	टीओ-220एफएम	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	रोहम सेमीकंडक्टर	प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)	पैकेज / मामला:	TO-220-2
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	650 वी	वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	10:00 पूर्वाह्न
गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)	मूल उत्पाद संख्या:	एससीएस210

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड
उत्पाद की स्थिति:	नए डिजाइन के लिए नहीं
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	200 µA @ 600 वी
माउंटिंग प्रकार:	छेद से
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.55 वी @ 10 ए
पैकेज:	ट्यूब
श्रृंखला:	-
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	365pF @ 1V, 1MHz
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	टीओ-220एफएम
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 एनएस
एमएफआर:	रोहम सेमीकंडक्टर
प्रौद्योगिकी:	SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
पैकेज / मामला:	TO-220-2
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	650 वी
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	10:00 पूर्वाह्न
गति:	कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	एससीएस210