श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड	उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	100 µA @ 1200 वी	माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.3 वी @ 8 ए	पैकेज:	ट्यूब
श्रृंखला:	-	कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	TO-252, (डी-पाक)	रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	270 एनएस
एमएफआर:	विशाय जनरल सेमीकंडक्टर - डायोड डिवीजन	प्रौद्योगिकी:	मानक
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-40 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस	पैकेज / मामला:	TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टैब), SC-63
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1200 वी	वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	8ए
गति:	तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)	मूल उत्पाद संख्या:	8ईडब्ल्यूएफ12

श्रेणी:	असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr:	100 µA @ 1200 वी
माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.3 वी @ 8 ए
पैकेज:	ट्यूब
श्रृंखला:	-
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ:	-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	TO-252, (डी-पाक)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	270 एनएस
एमएफआर:	विशाय जनरल सेमीकंडक्टर - डायोड डिवीजन
प्रौद्योगिकी:	मानक
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-40 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस
पैकेज / मामला:	TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टैब), SC-63
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1200 वी
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ):	8ए
गति:	तेज़ रिकवरी =< 500ns, > 200mA (Io)
मूल उत्पाद संख्या:	8ईडब्ल्यूएफ12