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बोली

MMBFJ175LT1G

उत्पाद का विवरण

भुगतान और शिपिंग की शर्तें

विवरण: जेएफईटी पी-सीएच 30वी एसओटी23-3

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प्रमुखता देना:
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर JFETs
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस):
30 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR) कट टेप (सीटी) Digi-Reel®
श्रृंखला:
-
करंट - ड्रेन (Idss) @ Vds (Vgs=0):
7 एमए @ 15 वी
एमएफआर:
एकमुश्त
वोल्टेज - कटऑफ (वीजीएस ऑफ) @ आईडी:
3 वी @ 10 एनए
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
SOT-23-3 (TO-236)
पैकेज / मामला:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
11pF @ 10V (वीजीएस)
पावर - मैक्स:
225 मेगावाट
प्रतिरोध - आरडीएस (चालू):
125 ओम
मूल उत्पाद संख्या:
एमएमबीएफजे175
श्रेणी:
असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर JFETs
एफईटी प्रकार:
पी-चैनल
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस):
30 वी
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR) कट टेप (सीटी) Digi-Reel®
श्रृंखला:
-
करंट - ड्रेन (Idss) @ Vds (Vgs=0):
7 एमए @ 15 वी
एमएफआर:
एकमुश्त
वोल्टेज - कटऑफ (वीजीएस ऑफ) @ आईडी:
3 वी @ 10 एनए
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
SOT-23-3 (TO-236)
पैकेज / मामला:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
परिचालन तापमान:
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds:
11pF @ 10V (वीजीएस)
पावर - मैक्स:
225 मेगावाट
प्रतिरोध - आरडीएस (चालू):
125 ओम
मूल उत्पाद संख्या:
एमएमबीएफजे175
MMBFJ175LT1G
JFET पी-चैनल 30 V 225 mW सतह माउंट SOT-23-3 (TO-236)
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