प्रमुखता देना:
भाग संख्या: |
M25P16-VMN6TP |
मेमोरी का आकार: |
16Mbit, - |
स्मृति संगठन: |
2 एम एक्स 8 |
मेमोरी इंटरफ़ेस: |
एसपीआई |
घड़ी की आवृत्ति: |
75 मेगाहर्ट्ज |
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: |
15 एमएस, 5 एमएस |
पैकेज / मामला: |
8-एसओआईसी |
प्रकार: |
एकीकृत परिपथ |
विवरण: |
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वोल्टेज - टूटना: |
- |
फ्रीक्वेंसी - स्विचिंग: |
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शक्ति (वाट): |
- |
परिचालन तापमान: |
- -40°C ~ 85°C (TA) |
माउंटिंग प्रकार: |
-, माउंट सतह |
वोल्टेज - आपूर्ति (न्यूनतम): |
- |
वोल्टेज - आपूर्ति (अधिकतम): |
- |
वोल्टेज - आउटपुट: |
- |
वर्तमान - आउटपुट / चैनल: |
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आवृत्ति: |
- |
आवेदन: |
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एफईटी प्रकार: |
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वर्तमान - आउटपुट (अधिकतम): |
- |
वर्तमान पीढ़ी: |
- |
वोल्टेज - आपूर्ति: |
-, 2.7V ~ 3.6V |
आवृत्ति - अधिकतम: |
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पावर - मैक्स: |
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सहिष्णुता: |
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कार्य: |
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वोल्टेज की आपूर्ति - आंतरिक: |
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फ्रीक्वेंसी - कटऑफ या सेंटर: |
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करंट - लीकेज (आईएस (ऑफ)) (अधिकतम): |
- |
पृथक शक्ति: |
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वोल्टेज - अलगाव: |
- |
करंट - आउटपुट हाई, लो: |
- |
वर्तमान - पीक आउटपुट: |
- |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप): |
- |
करंट - डीसी फॉरवर्ड (अगर) (अधिकतम): |
- |
निवेष का प्रकार: |
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आउटपुट प्रकार: |
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वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): |
- |
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): |
- |
वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम): |
- |
वोल्टेज - ऑफ स्टेट: |
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स्थिर डीवी/डीटी (न्यूनतम): |
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करंट - LED ट्रिगर (Ift) (अधिकतम): |
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वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): |
- |
मुक़ाबला: |
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प्रतिबाधा - असंतुलित/संतुलित: |
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लो आवृत्ति: |
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आरएफ आवृत्ति: |
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निवेश सीमा: |
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आउटपुट शक्ति: |
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फ़्रीक्वेंसी बैंड (निम्न / उच्च): |
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विनिर्देश: |
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आकार / आयाम: |
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मॉड्यूलेशन या प्रोटोकॉल: |
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इंटरफेस: |
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पावर आउटपुट: |
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शिष्टाचार: |
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मॉडुलन: |
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सीरियल इंटरफेस: |
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जीपीआईओ: |
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प्रयुक्त आईसी / भाग: |
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मानकों: |
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शैली: |
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मेमोरी प्रकार: |
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लिखने योग्य स्मृति: |
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प्रतिरोध (ओम): |
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प्रति संदर्भ: |
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पोर्ट: |
शेनझेन/हांगकांग |
एकीकृत सर्किट M25P16VP 16Mbit SPI FLASH NOR मेमोरी IC M25P16-VMN6TP