प्रमुखता देना:
प्रकार: |
मेमोरी आईसी नंद फ्लैश ईएमएमसी ईएमसीपी एलपीडीडीआर |
विवरण: |
वायरलेस चिप NRF52832 |
वोल्टेज - टूटना: |
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फ्रीक्वेंसी - स्विचिंग: |
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शक्ति (वाट): |
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परिचालन तापमान: |
-40 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
माउंटिंग प्रकार: |
सतह माउंट |
वोल्टेज - आपूर्ति (न्यूनतम): |
1.7 वी |
वोल्टेज - आपूर्ति (अधिकतम): |
3.6 वी |
वोल्टेज - आउटपुट: |
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वर्तमान - आउटपुट / चैनल: |
5.5MA-10.4MA |
आवृत्ति: |
2.4GHz |
आवेदन: |
नंद फ्लैश ईएमएमसी ईएमसीपी एलपीडीडीआर मेमोरी आईसी चिप |
एफईटी प्रकार: |
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वर्तमान - आउटपुट (अधिकतम): |
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वर्तमान पीढ़ी: |
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वोल्टेज - आपूर्ति: |
1.7V-3.6V |
आवृत्ति - अधिकतम: |
2.4GHz |
पावर - मैक्स: |
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सहिष्णुता: |
16 GB |
कार्य: |
नंद फ्लैश ईएमएमसी ईएमसीपी एलपीडीडीआर मेमोरी आईसी चिप |
वोल्टेज की आपूर्ति - आंतरिक: |
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फ्रीक्वेंसी - कटऑफ या सेंटर: |
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करंट - लीकेज (आईएस (ऑफ)) (अधिकतम): |
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पृथक शक्ति: |
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वोल्टेज - अलगाव: |
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करंट - आउटपुट हाई, लो: |
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वर्तमान - पीक आउटपुट: |
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वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप): |
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करंट - डीसी फॉरवर्ड (अगर) (अधिकतम): |
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निवेष का प्रकार: |
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आउटपुट प्रकार: |
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वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): |
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वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): |
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वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम): |
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वोल्टेज - ऑफ स्टेट: |
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स्थिर डीवी/डीटी (न्यूनतम): |
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करंट - LED ट्रिगर (Ift) (अधिकतम): |
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वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): |
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प्रतिबाधा: |
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प्रतिबाधा - असंतुलित/संतुलित: |
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लो आवृत्ति: |
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आरएफ आवृत्ति: |
1GHz |
निवेश सीमा: |
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आउटपुट शक्ति: |
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फ़्रीक्वेंसी बैंड (निम्न / उच्च): |
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विनिर्देश: |
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आकार / आयाम: |
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मॉड्यूलेशन या प्रोटोकॉल: |
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इंटरफेस: |
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पावर आउटपुट: |
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मेमोरी का आकार: |
4GB 8GB 16GB 32GB 64GB 128GB 256GB |
शिष्टाचार: |
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मॉडुलन: |
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सीरियल इंटरफेस: |
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जीपीआईओ: |
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मानकों: |
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शैली: |
16 GB |
मेमोरी प्रकार: |
नंद फ्लैश ईएमएमसी ईएमसीपी एलपीडीडीआर |
लिखने योग्य स्मृति: |
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प्रतिरोध (ओम): |
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प्रति संदर्भ: |
/ |
पोर्ट: |
शेन्ज़ेन |
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