प्रमुखता देना:
निर्माता भाग संख्या: |
THGBMNG5D1LBAIL |
प्रकार: |
एकीकृत परिपथ |
विवरण: |
THGBMNG5D1LBAIL |
वोल्टेज - टूटना: |
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फ्रीक्वेंसी - स्विचिंग: |
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शक्ति (वाट): |
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परिचालन तापमान: |
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माउंटिंग प्रकार: |
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वोल्टेज - आपूर्ति (न्यूनतम): |
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वोल्टेज - आपूर्ति (अधिकतम): |
मानक |
वोल्टेज - आउटपुट: |
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वर्तमान - आउटपुट / चैनल: |
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आवृत्ति: |
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आवेदन: |
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एफईटी प्रकार: |
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वर्तमान - आउटपुट (अधिकतम): |
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वर्तमान पीढ़ी: |
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वोल्टेज - आपूर्ति: |
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आवृत्ति - अधिकतम: |
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पावर - मैक्स: |
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सहिष्णुता: |
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कार्य: |
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वोल्टेज की आपूर्ति - आंतरिक: |
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फ्रीक्वेंसी - कटऑफ या सेंटर: |
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करंट - लीकेज (आईएस (ऑफ)) (अधिकतम): |
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पृथक शक्ति: |
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वोल्टेज - अलगाव: |
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करंट - आउटपुट हाई, लो: |
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वर्तमान - पीक आउटपुट: |
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वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप): |
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करंट - डीसी फॉरवर्ड (अगर) (अधिकतम): |
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निवेष का प्रकार: |
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आउटपुट प्रकार: |
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वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): |
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वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): |
मानक |
वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम): |
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वोल्टेज - ऑफ स्टेट: |
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स्थिर डीवी/डीटी (न्यूनतम): |
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करंट - LED ट्रिगर (Ift) (अधिकतम): |
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वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): |
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मुक़ाबला: |
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प्रतिबाधा - असंतुलित/संतुलित: |
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लो आवृत्ति: |
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आरएफ आवृत्ति: |
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निवेश सीमा: |
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आउटपुट शक्ति: |
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फ़्रीक्वेंसी बैंड (निम्न / उच्च): |
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विनिर्देश: |
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आकार / आयाम: |
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मॉड्यूलेशन या प्रोटोकॉल: |
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इंटरफेस: |
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पावर आउटपुट: |
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मेमोरी का आकार: |
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शिष्टाचार: |
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मॉडुलन: |
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सीरियल इंटरफेस: |
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जीपीआईओ: |
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प्रयुक्त आईसी / भाग: |
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मानकों: |
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शैली: |
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मेमोरी प्रकार: |
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लिखने योग्य स्मृति: |
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प्रतिरोध (ओम): |
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प्रति संदर्भ: |
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द्वारा शिपिंग: |
डीएचएल \ यूपीएस \ फेडेक्स \ ईएमएस \ एचके पोस्ट |
समय सीमा: |
1-3 कार्य दिवस |
भुगतान: |
टी/टी |
पोर्ट: |
शेन्जेन |
153WFBGA फ्लैश - NAND मेमोरी आईसी 32Gb Emmc 200 Mhz THGBMNG5D1LBAIL
आपका संदेश 20-3,000 अक्षरों के बीच होना चाहिए!