प्रमुखता देना:
निर्माता भाग संख्या: |
SDIN8DE1-8G |
प्रकार: |
eMMC |
विवरण: |
E09A92GA |
वोल्टेज - टूटना: |
/ |
फ्रीक्वेंसी - स्विचिंग: |
- |
शक्ति (वाट): |
- |
परिचालन तापमान: |
- |
माउंटिंग प्रकार: |
छेद से |
वोल्टेज - आपूर्ति (न्यूनतम): |
- |
वोल्टेज - आपूर्ति (अधिकतम): |
- |
वोल्टेज - आउटपुट: |
- |
वर्तमान - आउटपुट / चैनल: |
- |
आवृत्ति: |
- |
आवेदन: |
मोबाइल मेमोरी आईसी फ्लैश ईएमएमसी ईएमसीपी |
एफईटी प्रकार: |
/ |
वर्तमान - आउटपुट (अधिकतम): |
700 वी |
वर्तमान पीढ़ी: |
700 वी |
वोल्टेज - आपूर्ति: |
700 वी |
आवृत्ति - अधिकतम: |
- |
पावर - मैक्स: |
- |
सहिष्णुता: |
- |
कार्य: |
मोबाइल मेमोरी आईसी चिप 8 जीबी |
वोल्टेज की आपूर्ति - आंतरिक: |
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फ्रीक्वेंसी - कटऑफ या सेंटर: |
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करंट - लीकेज (आईएस (ऑफ)) (अधिकतम): |
- |
पृथक शक्ति: |
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वोल्टेज - अलगाव: |
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करंट - आउटपुट हाई, लो: |
- |
वर्तमान - पीक आउटपुट: |
- |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप): |
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करंट - डीसी फॉरवर्ड (अगर) (अधिकतम): |
- |
निवेष का प्रकार: |
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आउटपुट प्रकार: |
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वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम): |
- |
वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम): |
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वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम): |
/ |
वोल्टेज - ऑफ स्टेट: |
/ |
स्थिर डीवी/डीटी (न्यूनतम): |
/ |
करंट - LED ट्रिगर (Ift) (अधिकतम): |
/ |
वर्तमान - राज्य पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम): |
/ |
मुक़ाबला: |
/ |
प्रतिबाधा - असंतुलित/संतुलित: |
/ |
लो आवृत्ति: |
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आरएफ आवृत्ति: |
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निवेश सीमा: |
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आउटपुट शक्ति: |
/ |
फ़्रीक्वेंसी बैंड (निम्न / उच्च): |
/ |
विनिर्देश: |
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आकार / आयाम: |
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मॉड्यूलेशन या प्रोटोकॉल: |
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इंटरफेस: |
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पावर आउटपुट: |
/ |
मेमोरी का आकार: |
32 जीबी 8 जीबी |
शिष्टाचार: |
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मॉडुलन: |
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सीरियल इंटरफेस: |
/ |
जीपीआईओ: |
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प्रयुक्त आईसी / भाग: |
SDIN8DE1-8G |
मानकों: |
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शैली: |
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मेमोरी प्रकार: |
मोबाइल मेमोरी आईसी फ्लैश ईएमएमसी ईएमसीपी |
लिखने योग्य स्मृति: |
ईएमएमसी ईएमसीपी |
प्रतिरोध (ओम): |
/ |
प्रति संदर्भ: |
/ |
पोर्ट: |
शेन्जेन |
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