प्रमुखता देना:
प्रकार: |
आईसी चिप, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर, आईजीबीटी ट्रांजिस्टर |
परिचालन तापमान: |
-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
श्रृंखला: |
/ |
माउंटिंग प्रकार: |
छेद से |
विवरण: |
/ |
डी/सी: |
22+ |
पैकेज का प्रकार: |
छेद के माध्यम से |
आवेदन: |
आईआरएफ ट्रांजिस्टर |
आपूर्तिकर्ता का प्रकार: |
अन्य |
प्रति संदर्भ: |
नया |
मीडिया उपलब्ध: |
अन्य |
ब्रांड: |
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB |
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): |
, |
Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: |
, |
डीसी वर्तमान लाभ (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई: |
, |
पैकेज / मामला: |
TO-220-3 |
रोकनेवाला - आधार (R1): |
, |
रोकनेवाला - एमिटर बेस (R2): |
, |
एफईटी प्रकार: |
पी-चैनल |
एफईटी सुविधा: |
मानक |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): |
200 वी |
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: |
11ए (टीसी) |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: |
500mOhm @ 6.6A, 10V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: |
4V @ 250uA |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: |
44एनसी @ 10 वी |
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds: |
1200pF @ 25V |
आवृत्ति: |
, |
वर्तमान रेटिंग (एम्प्स): |
, |
शोर का आंकड़ा: |
, |
पावर आउटपुट: |
, |
वोल्टेज - रेटेड: |
, |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): |
10 वी |
वीजीएस (अधिकतम): |
± 20 वी |
आईजीबीटी प्रकार: |
, |
विन्यास: |
/ |
वीसीई (ऑन) (अधिकतम) @ वीजीई, आईसी: |
, |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) @ वीसीई: |
, |
इनपुट: |
, |
एनटीसी थर्मिस्टर: |
, |
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस): |
, |
करंट - ड्रेन (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
वर्तमान नाली (आईडी) - मैक्स: |
, |
वोल्टेज - कटऑफ (वीजीएस ऑफ) @ आईडी: |
/ |
प्रतिरोध - आरडीएस (चालू): |
, |
वोल्टेज: |
, |
वोल्टेज - आउटपुट: |
, |
वोल्टेज - ऑफसेट (वीटी): |
, |
वर्तमान - एनोड रिसाव का द्वार (इगाओ): |
, |
वर्तमान - घाटी (Iv): |
, |
वर्तमान - शिखर: |
, |
आवेदन: |
, |
ट्रांजिस्टर प्रकार: |
एमआरएफ150 आरएफ पावर ट्रांजिस्टर |
पोर्ट: |
शेन्जेन |
नया और मूल एन-चैनल ट्रांजिस्टर 200V 18A TO-220AB IRF640PBF IRF640
आपका संदेश 20-3,000 अक्षरों के बीच होना चाहिए!